Name: TK11A65W,S5X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK11A65WS5X-ND
Price: 1.74041 CHF
Availability: InStock

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TK11A65W,S5X
Numéro de produit DigiKey	TK11A65WS5X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK11A65W,S5X
Description	MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 11,1 A (Ta) 35W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK11A65W,S5X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11,1 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	390mohms à 5.5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 450µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	890 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	35W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK11A65

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 1.61000	Fr. 1.61
50	Fr. 0.76180	Fr. 38.09
100	Fr. 0.70170	Fr. 70.17
500	Fr. 0.55402	Fr. 277.01
1’000	Fr. 0.49464	Fr. 494.64
2’000	Fr. 0.46970	Fr. 939.40
5’000	Fr. 0.44200	Fr. 2’210.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.