Name: TK12E80W,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12E80WS1X-ND
Price: 4.51858 CHF
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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TK12E80W,S1X
Numéro de produit DigiKey	TK12E80WS1X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK12E80W,S1X
Description	MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 11,5 A (Ta) 165W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK12E80W,S1X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	450mohms à 5,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 570µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1400 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	165W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	TK12E80

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 4.18000	Fr. 4.18
50	Fr. 2.18200	Fr. 109.10
100	Fr. 1.98960	Fr. 198.96
500	Fr. 1.65264	Fr. 826.32
1’000	Fr. 1.61500	Fr. 1’615.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.