Name: TK17E65W,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK17E65WS1X-ND
Price: 4.12942 CHF
Availability: InStock

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TK17E65W,S1X
Numéro de produit DigiKey	TK17E65WS1X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK17E65W,S1X
Description	MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 17,3 A (Ta) 165W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK17E65W,S1X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	17,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	200mohms à 8,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 900µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1800 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	165W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	TK17E65

Product Questions and Answers

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Non annulable/Non remboursable

Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 3.82000	Fr. 3.82
50	Fr. 1.98240	Fr. 99.12
100	Fr. 1.80450	Fr. 180.45
500	Fr. 1.49294	Fr. 746.47
1’000	Fr. 1.43500	Fr. 1’435.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.