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TK17N65W,S1F

Numéro de produit DigiKey
TK17N65WS1F-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK17N65W,S1F
Description
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 17,3 A (Ta) 165W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TK17N65W,S1F Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
DTMOSIV
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
17,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
200mohms à 8,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 900µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1800 pF @ 300 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
165W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
TK17N65
Questions et réponses sur les produits

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0 en stock
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Demande de notification de stock
Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 4.38000Fr. 4.38
30Fr. 2.47433Fr. 74.23
120Fr. 2.05392Fr. 246.47
510Fr. 1.74576Fr. 890.34
1’020Fr. 1.72500Fr. 1’759.50
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 4.38000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 4.73478