Name: TK190E65Z,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK190E65ZS1X-ND
Price: 3.64297 CHF
Availability: InStock

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TK190E65Z,S1X
Numéro de produit DigiKey	264-TK190E65ZS1X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK190E65Z,S1X
Description	650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 15 A (Ta) 130W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	15 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	190mohms à 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 610µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1370 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	130W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 3.37000	Fr. 3.37
50	Fr. 1.76620	Fr. 88.31
100	Fr. 1.72480	Fr. 172.48
500	Fr. 1.32108	Fr. 660.54
1’000	Fr. 1.24400	Fr. 1’244.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.