Name: TK31N60W,S1VF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31N60WS1VF-ND
Price: 9.99925 CHF
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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TK31N60W,S1VF
Numéro de produit DigiKey	TK31N60WS1VF-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK31N60W,S1VF
Description	MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 30,8 A (Ta) 230W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK31N60W,S1VF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	88mohms à 15,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,7V à 1,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3000 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	230W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	TK31N60

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Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 9.25000	Fr. 9.25
30	Fr. 6.06033	Fr. 181.81
120	Fr. 4.74008	Fr. 568.81
510	Fr. 4.62700	Fr. 2’359.77

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.