Name: TK3A65DA(STA4,QM)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK3A65DA(STA4QM)-ND
Price: 1.74041 CHF
Availability: OutOfStock

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TK3A65DA(STA4,QM)
Numéro de produit DigiKey	TK3A65DA(STA4QM)-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK3A65DA(STA4,QM)
Description	MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 2,5 A (Ta) 35W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	π-MOSVII
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,51ohms à 1,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	490 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	35W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK3A65

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Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 1.61000	Fr. 1.61
50	Fr. 0.77480	Fr. 38.74
100	Fr. 0.69390	Fr. 69.39
500	Fr. 0.55196	Fr. 275.98
1’000	Fr. 0.50629	Fr. 506.29
2’000	Fr. 0.46788	Fr. 935.76
5’000	Fr. 0.44000	Fr. 2’200.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.