Name: TK3R2A08QM,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3R2A08QMS4X-ND
Price: 2.9187 CHF
Availability: OutOfStock

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TK3R2A08QM,S4X
Numéro de produit DigiKey	264-TK3R2A08QMS4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK3R2A08QM,S4X
Description	UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 92 A (Tc) 45W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK3R2A08QM,S4X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSX-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	92 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,2mohms à 46A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 1,3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7670 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	45W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 2.70000	Fr. 2.70
50	Fr. 1.45040	Fr. 72.52
100	Fr. 1.18320	Fr. 118.32
500	Fr. 0.97600	Fr. 488.00
1’000	Fr. 0.90414	Fr. 904.14
2’000	Fr. 0.87100	Fr. 1’742.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.