Name: TK40A06N1,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK40A06N1S4X-ND
Price: 1.63231 CHF
Availability: InStock

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TK40A06N1,S4X
Numéro de produit DigiKey	TK40A06N1S4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK40A06N1,S4X
Description	MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 40 A (Tc) 30W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK40A06N1,S4X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVIII-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10,4mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 300µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1700 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	30W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK40A06

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 1.51000	Fr. 1.51
50	Fr. 0.75320	Fr. 37.66
100	Fr. 0.69770	Fr. 69.77
500	Fr. 0.60148	Fr. 300.74
1’000	Fr. 0.49547	Fr. 495.47
2’000	Fr. 0.47061	Fr. 941.22
5’000	Fr. 0.44300	Fr. 2’215.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.