Name: TK4R9E15Q5,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK4R9E15Q5,S1X-ND
Price: 4.51858 CHF
Availability: InStock

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TK4R9E15Q5,S1X
Numéro de produit DigiKey	264-TK4R9E15Q5,S1X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK4R9E15Q5,S1X
Description	150V UMOS10-HSD TO-220 4.9MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSX-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	8V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,9mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 2,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7820 pF @ 75 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 4.18000	Fr. 4.18
50	Fr. 2.80680	Fr. 140.34
100	Fr. 2.64990	Fr. 264.99
500	Fr. 2.51436	Fr. 1’257.18

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.