Name: TK560A65Y,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK560A65YS4X-ND
Price: 2.28091 CHF
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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TK560A65Y,S4X
Numéro de produit DigiKey	TK560A65YS4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK560A65Y,S4X
Description	MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 7 A (Tc) 30W Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK560A65Y,S4X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	560mohms à 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 240µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	380 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	30W
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK560A65

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 2.11000	Fr. 2.11
50	Fr. 1.10540	Fr. 55.27
100	Fr. 0.96430	Fr. 96.43
500	Fr. 0.69716	Fr. 348.58
1’000	Fr. 0.66774	Fr. 667.74
2’000	Fr. 0.63600	Fr. 1’272.00
5’000	Fr. 0.62900	Fr. 3’145.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.