TK5P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage | FET, MOSFET simples

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TK5P60W,RVQ
Numéro de produit DigiKey	TK5P60WRVQTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK5P60W,RVQ
Description	MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 5,4 A (Ta) 60W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK5P60W,RVQ Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,7V à 270µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10.5 nC @ 10 V
Série DTMOSIV	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 380 pF @ 300 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 60W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur DPAK
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,4 A (Ta)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base TK5P60
Rds On (max.) à Id, Vgs 900mohms à 2,7A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
TK6P60W,RVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	1’975	264-TK6P60W,RVQCT-ND	Fr. 2.69000	Recommandation fabricant
IPD80R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	1’780	IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND	Fr. 1.30000	Similaire
STD8N80K5	STMicroelectronics	3’676	497-13643-1-ND	Fr. 2.55000	Similaire

En stock: 2’000

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 0.79380
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 0.85810

TK5P60W,RVQ