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TK8P60W,RVQ

Numéro de produit DigiKey
TK8P60WRVQTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK8P60W,RVQ
Description
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 8 A (Ta) 80W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TK8P60W,RVQ Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
DTMOSIV
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
500mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,7V à 400µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
570 pF @ 300 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
80W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
DPAK
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
TK8P60
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2’000Fr. 0.99700Fr. 1’994.00
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.99700
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.07776