Name: TK9A55DA(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9A55DA(STA4QM)-ND
Price: 2.17281 CHF
Availability: InStock

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TK9A55DA(STA4,Q,M)
Numéro de produit DigiKey	TK9A55DA(STA4QM)-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK9A55DA(STA4,Q,M)
Description	MOSFET N-CH 550V 8.5A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 550 V 8,5 A (Ta) 40W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK9A55DA(STA4,Q,M) Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	π-MOSVII
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	550 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	860mohms à 4,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1050 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	40W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK9A55

Product Questions and Answers

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 2.01000	Fr. 2.01
50	Fr. 1.05480	Fr. 52.74
100	Fr. 1.00350	Fr. 100.35
500	Fr. 0.76518	Fr. 382.59
1’000	Fr. 0.68852	Fr. 688.52
2’000	Fr. 0.65605	Fr. 1’312.10
5’000	Fr. 0.65200	Fr. 3’260.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.