Name: TK9A65W,S5X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9A65WS5X-ND
Price: 2.47549 CHF
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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TK9A65W,S5X
Numéro de produit DigiKey	TK9A65WS5X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK9A65W,S5X
Description	MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 9,3 A (Ta) 30W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK9A65W,S5X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	500mohms à 4,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 350µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	700 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	30W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK9A65

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 2.29000	Fr. 2.29
50	Fr. 1.13720	Fr. 56.86
100	Fr. 1.02510	Fr. 102.51
500	Fr. 0.82858	Fr. 414.29
1’000	Fr. 0.76543	Fr. 765.43
2’000	Fr. 0.71700	Fr. 1’434.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.