Name: TK9J90E,S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9J90ES1E-ND
Price: 3.34029 CHF
Availability: OutOfStock

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TK9J90E,S1E
Numéro de produit DigiKey	TK9J90ES1E-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK9J90E,S1E
Description	MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 900 V 9 A (Ta) 250W (Tc) Trou traversant TO-3P(N)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK9J90E,S1E Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,3ohms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 900µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	250W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-3P(N)
Boîtier	TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base	TK9J90

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 3.09000	Fr. 3.09
25	Fr. 1.66040	Fr. 41.51
100	Fr. 1.47220	Fr. 147.22
500	Fr. 1.20790	Fr. 603.95
1’000	Fr. 1.12303	Fr. 1’123.03
2’000	Fr. 1.12000	Fr. 2’240.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.