Name: TK9R7A15Q5,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK9R7A15Q5,S4X-ND
Price: 3.34029 CHF
Availability: InStock

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TK9R7A15Q5,S4X
Numéro de produit DigiKey	264-TK9R7A15Q5,S4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK9R7A15Q5,S4X
Description	150V UMOS10-HSD TO-220SIS 9.7MOH
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 49 A (Tc) 45W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSX-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	49 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	8V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,7mohms à 24,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 1,1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3690 pF @ 75 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	45W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 3.09000	Fr. 3.09
50	Fr. 1.61120	Fr. 80.56
100	Fr. 1.46610	Fr. 146.61
500	Fr. 1.37986	Fr. 689.93
1’000	Fr. 1.36546	Fr. 1’365.46
2’000	Fr. 1.35750	Fr. 2’715.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.