TPC8038-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage | Produits semi-conducteurs discrets

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TPC8038-H(TE12L,Q)
Numéro de produit DigiKey	TPC8038-H(TE12L,Q)-ND - Bande et bobine
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPC8038-H(TE12L,Q)
Description	MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 12 A (Ta) Montage en surface 8-SOP (5,5x6,0)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSV-H
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	11,4mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	21 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2150 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOP (5,5x6,0)
Boîtier	8-SOIC (0,173po, 4,40mm de largeur)
Numéro de produit de base	TPC8038