TPC8A05-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage | Produits semi-conducteurs discrets

TPC8A05-H(TE12L,QM est obsolète et n'est plus fabriqué.

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TPC8A05-H(TE12L,QM
Numéro de produit DigiKey	TPC8A05-H(TE12LQM-ND - Bande et bobine
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPC8A05-H(TE12L,QM
Description	MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 10 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface 8-SOP (5,5x6,0)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSV-H
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	13,3mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,3V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1700 pF @ 10 V
Fonction FET	Diode Schottky (substrat)
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOP (5,5x6,0)
Boîtier	8-SOIC (0,173po, 4,40mm de largeur)
Numéro de produit de base	TPC8A05