Name: TPH8R80ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH8R80ANHL1QTR-ND
Price: 2.25929 CHF
Availability: InStock

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TPH8R80ANH,L1Q
Numéro de produit DigiKey	TPH8R80ANHL1QTR-ND - Bande et bobine TPH8R80ANHL1QCT-ND - Bande coupée (CT) TPH8R80ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPH8R80ANH,L1Q
Description	MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 32 A (Tc) 1,6W (Ta), 61W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPH8R80ANH,L1Q Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 500µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33 nC @ 10 V
Série U-MOSVIII-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2800 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,6W (Ta), 61W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (5x5)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 32 A (Tc)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base TPH8R80
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,8mohms à 16A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 29’237

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
5’000	Fr. 0.57631	Fr. 2’881.55
10’000	Fr. 0.55699	Fr. 5’569.90

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 2.09000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 2.25929

TPH8R80ANH,L1Q