Name: TPHR6503PL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPHR6503PL1LQTR-ND
Price: 2.64845 CHF
Availability: InStock

Canal N 30 V 150 A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5,75)

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TPHR6503PL1,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TPHR6503PL1LQTR-ND - Bande et bobine 264-TPHR6503PL1LQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPHR6503PL1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPHR6503PL1,LQ
Description	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 150 A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5,75)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPHR6503PL1,LQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 0,65mohms à 50A, 10V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 1mA
Série U-MOSIX-H	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10000 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 960mW (Ta), 210W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 175°C
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 150 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (5x5,75)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN