Name: TPN2R903PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN2R903PLL1QTR-ND
Price: 1.081 CHF
Availability: InStock

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TPN2R903PL,L1Q
Numéro de produit DigiKey	264-TPN2R903PLL1QTR-ND - Bande et bobine 264-TPN2R903PLL1QCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPN2R903PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPN2R903PL,L1Q
Description	MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 70 A (Tc) 630mW (Ta), 75W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 200µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26 nC @ 10 V
Série U-MOSIX-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2300 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 630mW (Ta), 75W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 70 A (Tc)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base TPN2R903
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,9mohms à 35A, 10V

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Documents et supports

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 1.00000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 1.08100

TPN2R903PL,L1Q