Name: TPN8R903NL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN8R903NLLQTR-ND
Price: 1.01614 CHF
Availability: InStock

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TPN8R903NL,LQ
Numéro de produit DigiKey	TPN8R903NLLQTR-ND - Bande et bobine TPN8R903NLLQCT-ND - Bande coupée (CT) TPN8R903NLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPN8R903NL,LQ
Description	MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 20 A (Tc) 700mW (Ta), 22W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPN8R903NL,LQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 100µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9.8 nC @ 4.5 V
Série U-MOSVIII-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 820 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 700mW (Ta), 22W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Tc)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base TPN8R903
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,9mohms à 10A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 7’120

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 0.94000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 1.01614

TPN8R903NL,LQ