Name: TRS3E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS3E65H,S1Q-ND
Price: 1.50259 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TRS3E65H,S1Q
Numéro de produit DigiKey	264-TRS3E65H,S1Q-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TRS3E65H,S1Q
Description	DIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220L
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 3A Trou traversant TO-220-2L
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	650 V
Courant - Moyen redressé (Io)	3A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.35 V @ 3 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	45 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F	199pF à 1V, 1MHz
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	TO-220-2
Boîtier fournisseur	TO-220-2L
Température de fonctionnement - Jonction	175°C

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 1.39000	Fr. 1.39
50	Fr. 0.74920	Fr. 37.46
100	Fr. 0.74650	Fr. 74.65
500	Fr. 0.70680	Fr. 353.40
1’000	Fr. 0.67517	Fr. 675.17
2’000	Fr. 0.67400	Fr. 1’348.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.