Name: TW030N120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW030N120CS1F-ND
Price: 32.93807 CHF
Availability: InStock

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TW030N120C,S1F
Numéro de produit DigiKey	264-TW030N120CS1F-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TW030N120C,S1F
Description	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 60 A (Tc) 249W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	40mohms à 30A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 13mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	82 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2925 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	249W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247
Boîtier	TO-247-3

Product Questions and Answers

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 30.47000	Fr. 30.47
30	Fr. 21.93400	Fr. 658.02

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.