Name: XK1R9F10QB,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND
Price: 4.04294 CHF
Availability: InStock

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XK1R9F10QB,LXGQ
Numéro de produit DigiKey	264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND - Bande et bobine 264-XK1R9F10QBLXGQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-XK1R9F10QBLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	XK1R9F10QB,LXGQ
Description	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 160 A (Ta) 375W (Tc) Montage en surface TO-220SM(W)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	XK1R9F10QB,LXGQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSX-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	160 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,92mohms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	184 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	11500 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	375W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-220SM(W)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	XK1R9F10