Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique



AU1FM-M3/I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 112-AU1FM-M3/ITR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | AU1FM-M3/I |
Description | DIODE AVALANCHE 1000V 1A DO219AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 18 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 1000 V 1A Montage en surface DO-219AB (SMF) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricant | Temps de recouvrement inverse (trr) 75 ns |
Conditionnement Bande et bobine | Courant - Fuite inverse à Vr 1 µA @ 1000 V |
Statut du composant Actif | Capacité à Vr, F 8,2pF à 4V, 1MHz |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 1000 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Boîtier fournisseur DO-219AB (SMF) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.85 V @ 1 A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| AU1FM-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 24’396 | 112-AU1FM-M3/HCT-ND | Fr. 0.44000 | Équivalent paramétrique |
| AU1FMHM3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 24’089 | 112-AU1FMHM3/HCT-ND | Fr. 0.48000 | Équivalent paramétrique |
| AU1FMHM3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-AU1FMHM3/ITR-ND | Fr. 0.08662 | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20’000 | Fr. 0.07271 | Fr. 1’454.20 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.07271 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.07860 |


