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1N6479-E3/96
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 7’242
Prix unitaire : Fr. 0.38000
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Équivalent paramétrique

1N6479-E3/97
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.09031
Fiche technique

Équivalent paramétrique

GL41B-E3/96
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 3’804
Prix unitaire : Fr. 0.32000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

GL41B-E3/97
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.12405
Fiche technique

Équivalent paramétrique

GL41B/54
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.00000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

GL41BHE3/96
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 1’298
Prix unitaire : Fr. 0.29000
Fiche technique
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Nouveaux produits chez DigiKey
DO-213AB
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BYM10-100HE3_A/H

Numéro de produit DigiKey
112-BYM10-100HE3_A/HTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant
BYM10-100HE3_A/H
Description
DIODE AVALANCHE 100V 1A DO213AB
Référence client
Description détaillée
Diode 100 V 1A Montage en surface DO-213AB
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série
Superectifier®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
Standard
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
100 V
Courant - Moyen redressé (Io)
1A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.1 V @ 1 A
Vitesse
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
Courant - Fuite inverse à Vr
10 µA @ 100 V
Capacité à Vr, F
8pF à 4V, 1MHz
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
DO-213AB, MELF (Verre)
Boîtier fournisseur
DO-213AB
Température de fonctionnement - Jonction
-65°C ~ 175°C
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