Équivalent paramétrique
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BYW85-TAP | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | BYW85-TAP-ND - Bande et boîte |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BYW85-TAP |
Description | DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 11 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 800 V 3A Trou traversant SOD-64 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 7.5 µs |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 1 µA @ 800 V |
Conditionnement Bande et boîte | Capacité à Vr, F 60pF à 4V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 800 V | Boîtier fournisseur SOD-64 |
Courant - Moyen redressé (Io) 3A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1 V @ 3 A | Numéro de produit de base |
Vitesse Récupération standard >500ns, > 200mA (Io) |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5627-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 1N5627-TAPGICT-ND | Fr. 2.87000 | Équivalent paramétrique |
| 1N5627-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 18’514 | 1N5627CT-ND | Fr. 2.87000 | Équivalent paramétrique |
| BYW85TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYW85TR-ND | Fr. 0.85038 | Équivalent paramétrique |
| 1N5407-G | Comchip Technology | 0 | 1N5407-G-ND | Fr. 0.08802 | Similaire |
| 1N5407G | onsemi | 24’778 | 1N5407GOS-ND | Fr. 0.48000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 12’500 | Fr. 0.84784 | Fr. 10’598.00 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.84784 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.91652 |







