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BZT52C8V2-HE3-08 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
BZT52C8V2-HE3-08 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | BZT52C8V2-HE3-08-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BZT52C8V2-HE3-08 |
Description | DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123 |
Référence client | |
Description détaillée | Diodes - Zener 8.2 V 410 mW ±5% Montage en surface SOD-123 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 100 nA @ 6 V |
Fabricant | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C |
Série | Grade Automobile |
Conditionnement Bande et bobine | Qualification AEC-Q101 |
Statut du composant Obsolète | Type de montage Montage en surface |
Tension - Zener (nom.) (Vz) | Boîtier |
Tolérance ±5% | Boîtier fournisseur SOD-123 |
Puissance - Max. 410 mW | Numéro de produit de base |
Impédance (max.) (Zzt) 7 Ohms |
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Substituts (13)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52C8V2-HE3_A-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZT52C8V2-HE3_A-08TR-ND | Fr. 0.03953 | Recommandation fabricant |
| BZT52-C8V2-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | 3’000 | 3757-BZT52-C8V2-AU_R1_000A1CT-ND | Fr. 0.12000 | Similaire |
| BZT52C8V2-7-F | Diodes Incorporated | 0 | BZT52C8V2-FDICT-ND | Fr. 0.16000 | Similaire |
| BZV55C7V5 | Microchip Technology | 0 | BZV55C7V5-ND | Fr. 2.35133 | Similaire |
| BZV55C8V2 | Microchip Technology | 0 | BZV55C8V2-ND | Fr. 2.35133 | Similaire |
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