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Substituts disponibles:
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 37’168
Prix unitaire : Fr. 0.39000
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 22’571
Prix unitaire : Fr. 0.39000
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 8’996
Prix unitaire : Fr. 0.51000
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 7’420
Prix unitaire : Fr. 0.51000
Fiche technique
Équivalent paramétrique
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
ES1BHM3_A/H | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 112-ES1BHM3_A/HTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ES1BHM3_A/H |
Description | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 100 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 100 V |
Fabricant | Capacité à Vr, F 10pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 100 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 920 mV @ 1 A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Numéro de produit de base |
Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| ES1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 37’168 | ES1B-E3/5ATGICT-ND | Fr. 0.39000 | Équivalent paramétrique |
| ES1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 22’571 | ES1B-E3/61TGICT-ND | Fr. 0.39000 | Équivalent paramétrique |
| ES1B-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES1B-M3/5AT-ND | Fr. 0.09729 | Équivalent paramétrique |
| ES1B-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES1B-M3/61T-ND | Fr. 0.09729 | Équivalent paramétrique |
| ES1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 8’996 | ES1BHE3_A/HGICT-ND | Fr. 0.51000 | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 14’400 | Fr. 0.10569 | Fr. 1’521.94 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.10569 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.11425 |
