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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
ES2F-M3/52T | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | ES2F-M3/52T-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ES2F-M3/52T |
Description | DIODE STANDARD 300V 2A DO214AA |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 300 V 2A Montage en surface DO-214AA (SMB) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 50 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 10 µA @ 300 V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité à Vr, F 15pF à 4V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 300 V | Boîtier fournisseur DO-214AA (SMB) |
Courant - Moyen redressé (Io) 2A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.1 V @ 2 A | Numéro de produit de base |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
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Ressources supplémentaires
Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| ES2F-M3/5BT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES2F-M3/5BT-ND | Fr. 0.18775 | Équivalent paramétrique |
| ES2FHE3/52T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES2FHE3/52T-ND | Fr. 0.00000 | Équivalent paramétrique |
| ES2FHE3/5BT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES2FHE3/5BT-ND | Fr. 0.00000 | Équivalent paramétrique |
Disponible sur commande
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 9’000 | Fr. 0.16504 | Fr. 1’485.36 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.16504 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.17841 |
