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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Taiwan Semiconductor Corporation
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Taiwan Semiconductor Corporation
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Diode 100 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA)
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ESH1B-M3/5AT

Numéro de produit DigiKey
ESH1B-M3/5AT-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
ESH1B-M3/5AT
Description
DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
Diode 100 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Temps de recouvrement inverse (trr)
25 ns
Fabricant
Courant - Fuite inverse à Vr
1 µA @ 100 V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité à Vr, F
25pF à 4V, 1MHz
Statut du composant
Actif
Type de montage
Technologies
Boîtier
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
100 V
Boîtier fournisseur
DO-214AC (SMA)
Courant - Moyen redressé (Io)
1A
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
900 mV @ 1 A
Numéro de produit de base
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (7)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
ESH1B-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes Division0ESH1B-E3/5AT-NDFr. 0.11047Équivalent paramétrique
ESH1B-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes Division2’338ESH1B-E3/61TGICT-NDFr. 0.60000Équivalent paramétrique
ESH1B-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes Division0ESH1B-M3/61T-NDFr. 0.12041Équivalent paramétrique
ESH1BHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes Division0ESH1BHE3_A/H-NDFr. 0.12768Équivalent paramétrique
ESH1BHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes Division0ESH1BHE3_A/I-NDFr. 0.11937Équivalent paramétrique
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Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
15’000Fr. 0.11037Fr. 1’655.55
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.11037
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.11931