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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 4’844
Prix unitaire : Fr. 0.54000
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 7’017
Prix unitaire : Fr. 0.62000
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 6’550
Prix unitaire : Fr. 0.62000
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
ESH1D-M3/5AT | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | ESH1D-M3/5AT-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ESH1D-M3/5AT |
Description | DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 200 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 1 µA @ 200 V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité à Vr, F 25pF à 4V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 200 V | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 900 mV @ 1 A | Numéro de produit de base |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| ESH1D-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 4’844 | 112-ESH1D-E3/61TCT-ND | Fr. 0.54000 | Équivalent paramétrique |
| ESH1D-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH1D-M3/61T-ND | Fr. 0.11037 | Équivalent paramétrique |
| ESH1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7’017 | 112-ESH1DHE3_A/HCT-ND | Fr. 0.62000 | Équivalent paramétrique |
| ESH1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 6’550 | 112-ESH1DHE3_A/ICT-ND | Fr. 0.62000 | Équivalent paramétrique |
| ESH1DHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-ESH1DHM3_A/HTR-ND | Fr. 0.12249 | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 15’000 | Fr. 0.11037 | Fr. 1’655.55 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.11037 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.11931 |
