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ESH3D-E3/57T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 1’517
Prix unitaire : Fr. 0.74000
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Équivalent paramétrique

ESH3D-E3/9AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.21008
Fiche technique

Équivalent paramétrique

ESH3D-M3/57T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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ESH3DHE3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Équivalent paramétrique

ESH3DHE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 3’283
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ESH3D R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
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ESH3DH
Taiwan Semiconductor Corporation
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DO-214AB SMC
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DO-214AB SMC
DO-214AB, SMC

ESH3D-M3/9AT

Numéro de produit DigiKey
ESH3D-M3/9AT-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant
ESH3D-M3/9AT
Description
DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
15 semaines
Référence client
Description détaillée
Diode 200 V 3A Montage en surface DO-214AB (SMC)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
Standard
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
3A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
900 mV @ 3 A
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
40 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
5 µA @ 200 V
Capacité à Vr, F
70pF à 4V, 1MHz
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
DO-214AB, SMC
Boîtier fournisseur
DO-214AB (SMC)
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
ESH3
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
7’000Fr. 0.16677Fr. 1’167.39
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.16677
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.18028