FESB8ATHE3_A/I est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Recommandation fabricant


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Taiwan Semiconductor Corporation
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Fiche technique
MBRB15H50CT-E3/81
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FESB8ATHE3_A/I

Numéro de produit DigiKey
112-FESB8ATHE3_A/ITR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FESB8ATHE3_A/I
Description
DIODE STANDARD 50V 8A TO263AB
Référence client
Description détaillée
Diode 50 V 8A Montage en surface TO-263AB (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Technologies
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
50 V
Courant - Moyen redressé (Io)
8A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
950 mV @ 8 A
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
35 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
10 µA @ 50 V
Capacité à Vr, F
-
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
TO-263AB (D2PAK)
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 150°C
Numéro de produit de base
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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.