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Équivalent paramétrique

FESB8DTHM3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.76753
Fiche technique

Équivalent paramétrique

SFAS804G
Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 1’597
Prix unitaire : Fr. 1.16000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

SFAS804GH
Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 1’950
Prix unitaire : Fr. 1.16000
Fiche technique
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MBRB15H50CT-E3/81
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FESB8DT-M3/I

Numéro de produit DigiKey
112-FESB8DT-M3/ITR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant
FESB8DT-M3/I
Description
DIODE STANDARD 200V 8A TO263AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
Diode 200 V 8A Montage en surface TO-263AB (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
Standard
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
8A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
950 mV @ 8 A
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
35 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
10 µA @ 200 V
Capacité à Vr, F
85pF à 4V, 1MHz
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Boîtier fournisseur
TO-263AB (D2PAK)
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 150°C
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
800Fr. 0.58673Fr. 469.38
1’600Fr. 0.54177Fr. 866.83
2’400Fr. 0.51428Fr. 1’234.27
4’000Fr. 0.49314Fr. 1’972.56
5’600Fr. 0.49000Fr. 2’744.00
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.58673
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.63426