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P6SMB160A-E3/52
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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P6SMB160A-E3/5B
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
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Équivalent paramétrique

P6SMB160A-M3/52
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 7’500
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Équivalent paramétrique

P6SMB160AHE3_B/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Équivalent paramétrique

P6SMB160AHM3_B/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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P6SMB160A
Bourns Inc.
En stock: 31’432
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Équivalent paramétrique

P6SMB160A
Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 0
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Équivalent paramétrique

P6SMB160A
Eaton - Electronics Division
En stock: 5’890
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P6SMB160A
Littelfuse Inc.
En stock: 1’460
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P6SMB160A-AT/TR13
YAGEO
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P6SMB160A-AT/TR7
YAGEO
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P6SMB160A-Q
Bourns Inc.
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P6SMB160A/TR13
YAGEO
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Équivalent paramétrique

P6SMB160A/TR7
YAGEO
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DO-214AA, SMB
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P6SMB160AHM3/H

Numéro de produit DigiKey
P6SMB160AHM3/H-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant
P6SMB160AHM3/H
Description
TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
Référence client
Description détaillée
219V Pince 2,7A Ipp TVS - Diodes Montage en surface DO-214AA (SMB)
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Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série
P6SMB, TransZorb®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type
Zener
Canaux unidirectionnels
1
Tension - Sécurité inverse (typ.)
136V
Tension - Claquage (min.)
152V
Tension - Blocage (max.) @ Ipp
219V
Courant - Impulsion de crête (10/1000µs)
2,7A
Puissance - Impulsion de crête
600W
Protection de ligne électrique
Non
Applications
Télécom
Capacité à fréquence
-
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
DO-214AA, SMB
Boîtier fournisseur
DO-214AA (SMB)
Numéro de produit de base
P6SMB160
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