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S3D-E3/57T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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S3D-E3/9AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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S3D-M3/9AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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S3DHE3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.15053
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S3DHE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.59000
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S3DHM3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prix unitaire : Fr. 0.12975
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Équivalent paramétrique

S3DHM3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.12670
Fiche technique

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S3DH
Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 3’000
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S3DHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
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S3DHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
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DO-214AB SMC
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DO-214AB SMC
DO-214AB, SMC

S3D-M3/57T

Numéro de produit DigiKey
S3D-M3/57T-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant
S3D-M3/57T
Description
DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
Diode 200 V 3A Montage en surface DO-214AB (SMC)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
Standard
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
3A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.15 V @ 2.5 A
Vitesse
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
2.5 µs
Courant - Fuite inverse à Vr
10 µA @ 200 V
Capacité à Vr, F
60pF à 4V, 1MHz
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
DO-214AB, SMC
Boîtier fournisseur
DO-214AB (SMC)
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 150°C
Numéro de produit de base
S3D
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
7’650Fr. 0.11197Fr. 856.57
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.11197
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.12104