SM8S10HE3/2D Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes TVS

SM8S10HE3/2D est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Direct

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

En stock: 2’129

Prix unitaire : Fr. 4.00000

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SM8S10HE3/2D
Numéro de produit DigiKey	SM8S10HE3/2D-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant	SM8S10HE3/2D
Description	TVS DIODE 10VWM 18.8VC DO218AB
Référence client
Description détaillée	18,8V Pince 351 A Ipp TVS - Diodes Montage en surface DO-218AB
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Protection des circuits Suppresseurs de tension transitoire (TVS) Diodes TVS	Courant - Impulsion de crête (10/1000µs) 351 A
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Puissance - Impulsion de crête 6600W (6,6kW)
Série PAR®	Protection de ligne électrique Non
Conditionnement Bande et bobine	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Statut du composant Obsolète	Grade Automobile
Type Zener	Qualification AEC-Q101
Canaux unidirectionnels 1	Type de montage Montage en surface
Tension - Sécurité inverse (typ.) 10V	Boîtier DO-218AB
Tension - Claquage (min.) 11,1V	Boîtier fournisseur DO-218AB
Tension - Blocage (max.) @ Ipp 18,8V	Numéro de produit de base SM8S10

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SM8S10AHE3_A/I	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	2’129	SM8S10AHE3_A/IGICT-ND	Fr. 4.00000	Direct

Obsolète

SM8S10HE3/2D