Name: SM8S33AHE3_A/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: SM8S33AHE3_A/IGITR-ND
Price: 1.55664 CHF
Availability: InStock

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SM8S33AHE3_A/I
Numéro de produit DigiKey	SM8S33AHE3_A/IGITR-ND - Bande et bobine SM8S33AHE3_A/IGICT-ND - Bande coupée (CT) SM8S33AHE3_A/IGIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant	SM8S33AHE3_A/I
Description	TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	53,3V Pince 124A Ipp TVS - Diodes Montage en surface DO-218AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SM8S33AHE3_A/I Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Protection des circuits Suppresseurs de tension transitoire (TVS) Diodes TVS
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série	PAR®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type	Zener
Canaux unidirectionnels	1
Tension - Sécurité inverse (typ.)	33V
Tension - Claquage (min.)	36,7V
Tension - Blocage (max.) @ Ipp	53,3V
Courant - Impulsion de crête (10/1000µs)	124A
Puissance - Impulsion de crête	6600W (6,6kW)
Protection de ligne électrique	Non
Applications	-
Capacité à fréquence	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	DO-218AB
Boîtier fournisseur	DO-218AB
Numéro de produit de base	SM8S33