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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SMBJ7.0D-M3/I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SMBJ7.0D-M3/IGITR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SMBJ7.0D-M3/I |
Description | TVS DIODE 7VWM 11.8VC DO214AA |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | 11,8V Pince 50,8 A Ipp TVS - Diodes Montage en surface DO-214AA (SMBJ) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Impulsion de crête (10/1000µs) 50,8 A |
Fabricant | Puissance - Impulsion de crête 600W |
Série | Protection de ligne électrique Non |
Conditionnement Bande et bobine | Applications Usage général |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type Zener | Type de montage Montage en surface |
Canaux unidirectionnels 1 | Boîtier DO-214AA, SMB |
Tension - Sécurité inverse (typ.) 7V | Boîtier fournisseur |
Tension - Claquage (min.) 7,9V | Numéro de produit de base |
Tension - Blocage (max.) @ Ipp 11,8V |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SMBJ7.0A-M3/5B | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMBJ7.0A-M3/5B-ND | Fr. 0.12860 | Direct |
| SMBJ7.0A-E3/5B | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMBJ7.0A-E3/5B-ND | Fr. 0.08987 | Similaire |
| P6SMB8.2A | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-P6SMB8.2ATR-ND | Fr. 0.10290 | Similaire |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 9’600 | Fr. 0.12093 | Fr. 1’160.93 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.12093 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.13073 |
