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UGE8JT-E3/45 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
Similaire
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 600
Prix unitaire : Fr. 1.98000
Fiche technique
Similaire
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
UGE8JT-E3/45 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | UGE8JT-E3/45-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | UGE8JT-E3/45 |
Description | DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 600 V 8A Trou traversant TO-220AC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricant | Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns |
Conditionnement Bande et bobine | Courant - Fuite inverse à Vr 30 µA @ 600 V |
Statut du composant Obsolète | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 600 V | Boîtier fournisseur TO-220AC |
Courant - Moyen redressé (Io) 8A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.75 V @ 8 A | Numéro de produit de base |
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Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| VS-ETH0806-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 600 | VS-ETH0806-M3-ND | Fr. 1.98000 | Similaire |
| BYV10-600PQ | WeEn Semiconductors | 5’505 | 1740-1159-ND | Fr. 0.89000 | Similaire |
Obsolète
