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US1AHE3_A/I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | US1AHE3_A/I-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | US1AHE3_A/I |
Description | DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 50 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 10 µA @ 50 V |
Fabricant | Capacité à Vr, F 15pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 50 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1 V @ 1 A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Numéro de produit de base |
Temps de recouvrement inverse (trr) 50 ns |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| US1A-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 673 | US1A-E3/5ATGICT-ND | Fr. 0.51000 | Équivalent paramétrique |
| US1A-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5’071 | US1A-E3/61TGICT-ND | Fr. 0.51000 | Équivalent paramétrique |
| US1A-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1A-M3/61T-ND | Fr. 0.10569 | Équivalent paramétrique |
| US1AHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | US1AHE3_A/H-ND | Fr. 0.11343 | Équivalent paramétrique |
| EGF1A | onsemi | 3’773 | EGF1ACT-ND | Fr. 0.72000 | Mise à niveau |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 7’500 | Fr. 0.10533 | Fr. 789.97 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.10533 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.11386 |





