Name: IRF610SPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF610SPBF-ND
Price: 2.21605 CHF
Availability: InStock

Canal N 200 V 3,3 A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)

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IRF610SPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF610SPBF-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRF610SPBF
Description	MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	37 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 3,3 A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF610SPBF Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8.2 nC @ 10 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 140 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 36W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,3 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5ohms à 2A, 10V	Numéro de produit de base IRF610

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Documents et supports

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Ressources supplémentaires

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 2.05000	Fr. 2.05
50	Fr. 1.00380	Fr. 50.19
100	Fr. 0.90180	Fr. 90.18
500	Fr. 0.72292	Fr. 361.46
1’000	Fr. 0.66541	Fr. 665.41
2’000	Fr. 0.61707	Fr. 1’234.14
5’000	Fr. 0.56478	Fr. 2’823.90
10’000	Fr. 0.54433	Fr. 5’443.30

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.