Name: IRF840ASPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF840ASPBF-ND
Price: 3.68621 CHF
Availability: InStock

Canal N 500 V 8 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)

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IRF840ASPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF840ASPBF-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRF840ASPBF
Description	MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 8 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF840ASPBF Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38 nC @ 10 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) ±30V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1018 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,1W (Ta), 125W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 500 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 850mohms à 4,8A, 10V	Numéro de produit de base IRF840

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 3.41000	Fr. 3.41
50	Fr. 1.74220	Fr. 87.11
100	Fr. 1.58020	Fr. 158.02
500	Fr. 1.29648	Fr. 648.24
1’000	Fr. 1.20535	Fr. 1’205.35
2’000	Fr. 1.12878	Fr. 2’257.56
5’000	Fr. 1.08963	Fr. 5’448.15

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.