IRF9952 Infineon Technologies | Matrices de FET, MOSFET

IRF9952 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Direct

Infineon Technologies

En stock: 14’279

Prix unitaire : Fr. 0.99000

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF9952
Numéro de produit DigiKey	IRF9952-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF9952
Description	MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 3,5 A, 2,3 A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF9952 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 100mohms à 2,2A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Série HEXFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14nC à 10V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 190pF à 15V
Statut du composant Obsolète	Puissance - Max. 2W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,5 A, 2,3 A	Numéro de produit de base IRF995