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STMicroelectronics
En stock: 402
Prix unitaire : Fr. 2.81000
Fiche technique
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Canal N 20 V 110 A (Tc) 3,1W (Ta), 120W (Tc) Montage en surface D2PAK
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IRF3711SPBF

Numéro de produit DigiKey
IRF3711SPBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRF3711SPBF
Description
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 20 V 110 A (Tc) 3,1W (Ta), 120W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
110 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
6mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2980 pF @ 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,1W (Ta), 120W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
D2PAK
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
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Obsolète
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