IRFD110PBF Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

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IRFD110PBF
Numéro de produit DigiKey	IRFD110PBF-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRFD110PBF
Description	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 1 A (Ta) 1,3W (Ta) Trou traversant 4-HVMDIP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFD110PBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	540mohms à 600mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	180 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	4-HVMDIP
Boîtier	4-DIP (0,300po, 7,62mm)
Numéro de produit de base	IRFD110