IRFD220PBF Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

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IRFD220PBF
Numéro de produit DigiKey	IRFD220PBF-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRFD220PBF
Description	MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 800mA (Ta) 1W (Ta) Trou traversant 4-HVMDIP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFD220PBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	800mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	800mohms à 480mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	260 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	4-HVMDIP
Boîtier	4-DIP (0,300po, 7,62mm)
Numéro de produit de base	IRFD220